Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs using Gd2O3 as gate dielectric
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PROCEEDINGS OF THE 2015 10TH SPANISH CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES (CDE)
ISSN
2163-4971
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
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78
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Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: z. gao (UPM)
  • Autor: m. f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
  • Autor: m. a. pampillon
  • Autor: e. san andres
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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