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Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs using Gd2O3 as gate dielectric
Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs using Gd2O3 as gate dielectric
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PROCEEDINGS OF THE 2015 10TH SPANISH CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES (CDE) |
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ISSN
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2163-4971 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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78 |
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Ranking
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Participantes
- Autor:
z. gao (UPM) - Autor: m. f. romero (UPM)
- Autor: f. calle (UPM)
- Autor: m. a. pampillon
- Autor: e. san andres
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