Ponencias en congresos:
2-D and 3-D TCAD simulations of defect-tolerant solar cell architectures
Año:2015
Áreas de investigación
- Células solares
Datos
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Descripción
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| We use 2-D and 3-D TCAD simulations in Sentaurus Device to determine the injection-dependent device performance impacts of point defects (e.g., Fei) and extended defects (e.g., grain boundaries). We identify features of device design that contribute to defect tolerance. | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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25th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells Materials and Processes |
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Tipo de participación
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970 |
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Lugar del congreso
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Keystone (CO) EEUU |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000-0000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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26/07/2015 |
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Fecha fin congreso
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29/07/2015 |
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Título de las actas
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25th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells Materials and Processes |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: D.B. Needleman
- Autor: H. Wagner
- Autor: P.P. Altermatt
- Autor: Carlos del Cañizo Nadal UPM
- Autor: T. Buonassisi
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
- Departamento: Electrónica Física