Memorias de investigación
Estancias o Sabáticos:
Development of innovative growth procedures for the fabrication of dislocation free InAs/GaAs heterostructure nanowires
Año:2015
Áreas de investigación
  • Semiconductores
Datos
Descripción
Molecular beam epitaxy growth of InAs/GaAs heterostructure nanowires by droplet epitaxy technique
Internacional
Si
Lugar
L-Ness, Como Italy
Tipo
Fecha inicio
01/04/2015
Fecha fin
30/06/2015
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Paul Soto Rodriguez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología