Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electrical mechanisms for carrier compensation in homoepitaxial nonpolar m-ZnO doped with nitrogen
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
2,19
Información de impacto
Volumen
31
DOI
10.1088/0268-1242/31/3/035010
Número de revista
3
Desde la página
0
Hasta la página
8
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: a. kurtz (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: m. lopez-ponce (UPM)
  • Autor: g. tabares (UPM)
  • Autor: j. m. chauveau
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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