Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Differences between GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces grown by movpe revealed by depth profiling and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopies
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED SURFACE SCIENCE
ISSN
0169-4332
Factor de impacto JCR
2,711
Información de impacto
Volumen
360
DOI
10.1016/j.apsusc.2015.10.098
Número de revista
Desde la página
477
Hasta la página
484
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: i. garcia (UPM)
  • Autor: m. c. lopez-escalante
  • Autor: e. barrigon (UPM)
  • Autor: m. gabas
  • Autor: i. rey-stolle (UPM)
  • Autor: c. algora (UPM)
  • Autor: s. palanco
  • Autor: j. r. ramos-barrado
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
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