Proyecto de I+D+i:
INGANOS: Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
No
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Tamaño de la entidad
Fecha concesión
06/05/2016
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Director: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: No seleccionado
Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología