Memorias de investigación
Research Publications in journals:
A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control
Year:2016

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,302
Impact info
Volume
108
10.1063/1.4940197
Journal number
3
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5
Month
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0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica