Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,302
Información de impacto
Volumen
108
DOI
10.1063/1.4940197
Número de revista
3
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Mes
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica