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Quantitative parameters for the examination of InGaN QW multilayers by low-loss EELS
Quantitative parameters for the examination of InGaN QW multilayers by low-loss EELS
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS |
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ISSN
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1463-9076 |
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Factor de impacto JCR
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4,493 |
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Información de impacto
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Volumen
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18 |
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DOI
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10.1039/c6cp04493j |
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Número de revista
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33 |
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Desde la página
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23264 |
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Hasta la página
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23276 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
noemi garcia-lepetit (UPM) - Autor: alberto eljarrat
- Autor: zarko gacevic (UPM)
- Autor: lluis lopez-conesa
- Autor: enrique calleja (UPM)
- Autor: cesar magen
- Autor: francesca peiro
- Autor: sonia estrade
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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