Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Three-Bandgap absolute quantum efficiency in GaSb/GaAs quantum dot intermediate band solar cells
Año:2016
Áreas de investigación
  • Células solares
Datos
Descripción
In this work, we study type-II GaSb/GaAs quantum-dot intermediate band solar cells (IBSCs) by means of quantum efficiency (QE) measurements. We are able, for the first time, to measure an absolute QE which clearly reveals the three characteristic bandgaps of an IBSC; EG, EH, and EL, for which we found the values 1.52, 1.02, and 0.49 eV, respectively, at 9 K. Under monochromatic illumination, QE at the energies EH and EL is 10?4 and 10?8, respectively. These low values are explained by the lack of efficient mechanisms of completing the second sub-bandgap transition when only monochromatic illumination is used. The addition of a secondary light source (E = 1.32 eV) during the measurements produces an increase in the measured QE at EL of almost three orders of magnitude.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Ieee Journal of Photovoltaics
ISSN
2156-3381
Factor de impacto JCR
3
Información de impacto
Volumen
PP
DOI
10.1109/jphotov.2016.2637658
Número de revista
99
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Mes
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Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Iñigo Ramiro Gonzalez (UPM)
  • Autor: Elisa Antolin Fernandez (UPM)
  • Autor: J. Hwang
  • Autor: A. Teran
  • Autor: A.J. Martin
  • Autor: Pablo Garcia-Linares Fontes (UPM)
  • Autor: J. Millunchick
  • Autor: J. Phillips
  • Autor: Antonio Marti Vega (UPM)
  • Autor: Antonio Luque López
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
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