Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Thermal Assessment of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si Substrate Using Gd2O3 as Gate Dielectric
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,472
Información de impacto
Volumen
63
DOI
10.1109/TED.2016.2564301
Número de revista
7
Desde la página
2729
Hasta la página
2734
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: zhan gao (UPM)
  • Autor: maria fatima romero
  • Autor: fernando calle (UPM)
  • Autor: maria angela pampillon
  • Autor: enrique san andres
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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