Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures
Year:2016
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,302
Impact info
Volume
109
10.1063/1.4968799
Journal number
22
From page
0
To page
5
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: m. f. romero UPM
  • Autor: a. minj
  • Autor: y. wang
  • Autor: oe. tuna
  • Autor: m. feneberg
  • Autor: r. goldhahn
  • Autor: g. schmerber
  • Autor: p. ruterana
  • Autor: c. giesen
  • Autor: m. heuken
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica