Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Physics-based Analytical Model for Input, Output and Reverse Capacitance of a GaN HEMT with the Field-plate Structure
Año:2016
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Ieee Transactions on Power Electronics
ISSN
0885-8993
Factor de impacto JCR
5,726
Información de impacto
Volumen
32
DOI
10.1109/TPEL.2016.2569404
Número de revista
32,
Desde la página
2189
Hasta la página
2202
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: D. Cucak
  • Autor: M. Vasic
  • Autor: O. García
  • Autor: J.A. Oliver
  • Autor: P. Alou
  • Autor: JA. Cobos
  • Autor: A. Wang
  • Autor: S. Martín Horcajo
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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