Artículos en revistas:
Epitaxial InN/InGaN quantum dots on Si: Cl- anion selectivity and pseudocapacitor behavior
Año:2016
Áreas de investigación
- Ingenierías,
- Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Applied Physics Letters |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,515 |
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Información de impacto
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Volumen
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9 |
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DOI
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10.7567/APEX.9.081004 |
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Número de revista
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Desde la página
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081004-1 |
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Hasta la página
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081004-4 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Paul Soto Rodriguez UPM
- Autor: C .M. Mari
- Autor: S. Sanguinetti
- Autor: R. Ruffo
- Autor: R. Nötzel
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica