Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Effect of Ge autodoping during III-V on Ge epitaxy by MOVPE
Año:2016
Áreas de investigación
  • Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
Datos
Descripción
Germanium wafers are heavily used in MOVPE as the substrate of choice for triple junction solar cells (both for space and terrestrial concentrator applications) and some LEDs. Germanium has a lattice constant quite close to that of GaAs and offers some advantages over the latter such as lower cost, higher mechanical strength, virtually zero etch pit density and a slightly higher thermal conductivity(...)
Internacional
Si
Nombre congreso
18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Diego (CA) EEUU
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0022-0248
DOI
Fecha inicio congreso
10/07/2016
Fecha fin congreso
15/07/2016
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Título de las actas
Special Issue Journal of Crystal Growth (En prensa)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Laura Barrutia Poncela (UPM)
  • Autor: Enrique Barrigón
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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