Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of Sb on the quantum efficiency of GaInP solar cells
Año:2016
Áreas de investigación
  • Células solares
Datos
Descripción
The energy bandgap of GaInP solar cells can be tuned by modifying the degree of order of the alloy. In this study, we employed Sb to increase the energy bandgap of the GaInP and analyzed its impact on the performance of GaInP solar cells. An effective change in the cutoff wavelength of the external quantum efficiency of GaInP solar cells and an effective increase of 50 mV in the open-circuit voltage of GaInP/Ga(In)As/Ge triple junction solar cells were obtained with the use of Sb. © 2016 John Wiley & Sons, Ltd.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Progress in Photovoltaics
ISSN
1062-7995
Factor de impacto JCR
9,696
Información de impacto
Volumen
24
DOI
10.1002/pip.2777
Número de revista
8
Desde la página
1116
Hasta la página
1122
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Enrique Barrigón
  • Autor: Laura Barrutia Poncela (UPM)
  • Autor: Mario Ochoa Gómez (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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