Ponencias en congresos:
Comparative Study of InGaN Layers Grown by PA-MBE on Si(111) Using Different Buffer Layers and Growth Conditions
Comparative Study of InGaN Layers Grown by PA-MBE on Si(111) Using Different Buffer Layers and Growth Conditions
Año:2016
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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MRS- International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Orlando, USA |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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00000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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02/10/2016 |
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Fecha fin congreso
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09/10/2016 |
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Hasta la página
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
- Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
- Autor: A. Nunez-Cascajero
- Autor: F.B. Naranjo
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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