Memorias de investigación
Communications at congresses:
Comparative Study of InGaN Layers Grown by PA-MBE on Si(111) Using Different Buffer Layers and Growth Conditions
Year:2016

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
MRS- International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN)
960
Place
Orlando, USA
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
00000000
Start Date
02/10/2016
End Date
09/10/2016
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0
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3
Proceedings
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica