Proyecto de I+D+i:
Crecimiento Epitaxial por Haces Moleculares -MBE -de Aleaciones de InGaAsN. Aplicación a láseres en el rango 1.3 a 1.5 micras
Crecimiento Epitaxial por Haces Moleculares -MBE -de Aleaciones de InGaAsN. Aplicación a láseres en el rango 1.3 a 1.5 micras
Año:2004
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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No |
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Tipo de proyecto
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Proyecto de Investigación Nacional |
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Entidad financiadora
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Ministerio de Ciencia y Tecnología |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Tamaño de la entidad
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Fecha concesión
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Participantes
- director: ENRIQUE CALLEJA PARDO
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)