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Influence of composition, strain, and electric field anisotropy on different emission colors and recombination dynamics from InGaN nanodisks in pencil-like GaN nanowires
Influence of composition, strain, and electric field anisotropy on different emission colors and recombination dynamics from InGaN nanodisks in pencil-like GaN nanowires
Año:2016
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Physical Review B |
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ISSN
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2469-9950 |
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Factor de impacto JCR
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3,718 |
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Información de impacto
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Volumen
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93 |
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DOI
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10.1103/PhysRevB.93.125436 |
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Número de revista
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12 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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11 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: N. Vukmirovic
- Autor: N. García- Lepetit
- Autor: A. Torres-Pardo
- Autor: M. Muller
- Autor: S. Metzner
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: F. Bertram
- Autor: P. Veit
- Autor: J. Christen
- Autor: J.M González-Calbet
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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