Memorias de investigación
Artículos en revistas:
(S)TEM analysis of the strain and morphology of InAs quantum dots using GaAs(Sb)(N) capping layers for solar cell applications
Año:2016

Áreas de investigación
  • Células solares

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Microscopy And Microanalysis
ISSN
1431-9276
Factor de impacto JCR
1,73
Información de impacto
Volumen
22
DOI
10.1017/S1431927616000428
Número de revista
Desde la página
46
Hasta la página
47
Mes
SIN MES
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas UPM
  • Autor: T. Ben
  • Autor: J.M. Llorens
  • Autor: J.J Saborido
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
  • Autor: G. Bárcena-González
  • Autor: M. P. Guerrero-Lebrero
  • Autor: D. Gonzalez

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales
  • Departamento: Ingeniería Electrónica