Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Strain-balanced Type-II GaAsSb/GaAsN Superlattices as 1 eV layer for Efficient Multi-junction Solar Cells
Año:2016
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Le Corum, Montpellier, Francia
Revisores
Si
ISBN o ISSN
00000000
DOI
Fecha inicio congreso
04/09/2016
Fecha fin congreso
09/09/2016
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Alicia Gonzalo Martin (UPM)
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas (UPM)
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: V. Braza-Blanco
  • Autor: D. Fuertes Marrón
  • Autor: T. Ben
  • Autor: D. Gonzalez
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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