Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Study of RF-circuit linearity performance of GaN HEMT technology using the MVSG compact device model
Año:2016
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
A detailed linearity performance analysis of GaN-HEMT technology is performed spanning technology-device-circuit level using physics-based MVSG-model as a simulation tool. The model includes the physics of charge and carrier transport in different regions of the device and includes thermal and charge-trapping effects that are verified against a suite of device-level measurements including large-signal linearity benchmarking. Technology sources of device-non-linearity are identified to aid process-design and circuit techniques for linearity improvement are demonstrated using a PA circuit designed using the MVSG model.
Internacional
Si
Nombre congreso
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Francisco, CA, USA
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-5090-3902-9
DOI
10.1109/IEDM.2016.7838341
Fecha inicio congreso
03/12/2016
Fecha fin congreso
07/12/2016
Desde la página
371
Hasta la página
374
Título de las actas
Proceedings 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ujwal Radhakrishna (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Pilsoon Choi (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Autor: Li-Shiuan Peh (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Tomás Palacios (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Dimitri Antoniadis (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de I+d+i en Procesado de la Información y Telecomunicaciones
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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