Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Assessment of aluminium nitride films sputtered on iridium electrodes
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
We report the growth of highly c-axis-textured aluminum nitride (AlN) films deposited by sputtering on evaporated iridium (Ir) layers. The crystal quality of the polycrystalline AlN films is analyzed as a function of the deposition conditions of the Ir electrode, which include the substrate temperature and the use of various seed layers, such as AlN, Ti and Ti/Mo. The influence of the sputter parameters and pre-treatment of the Ir substrates by Ar+ bombardment in the texture of the AlN films is also investigated. X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and piezoelectric assessment through measurement of BAW devices demonstrate that exceptionally highly c-axis-oriented AlN with high piezoelectric response can be sputtered on Ir electrodes.
Internacional
Si
Nombre congreso
2007 IEEE International Ultrasonics Symposium
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Nueva York, Estados Unidos
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
28/10/2007
Fecha fin congreso
31/10/2007
Desde la página
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: Nick Rimmer (Aviza Technology, Inc.)
  • Autor: Enrique Iborra Grau (UPM)
  • Autor: Marta Clement Lorenzo (UPM)
  • Participante: Amit Rastogi (Aviza Technology, Inc.)
  • Autor: Jimena Olivares Roza (UPM)
  • Autor: Sheila González Castilla (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y materiales electrónicos
  • Departamento: Tecnología Electrónica
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