Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effects of Proton Irradiation on AlGaN/GaN based High Electron Mobility Transistors
Año:2016

Áreas de investigación
  • Microelectrónica,
  • Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
  • Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
  • Dispositivos tipo mosfet

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
University of Aveiro (UA), Institute of Telecommunications (IT) (Aveiro) and the Associate Laboratory i3N/FSCOSD ? Institute of Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication (Aveiro)
ISSN
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Participantes

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  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica