Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effects of Proton Irradiation on AlGaN/GaN based High Electron Mobility Transistors
Año:2016
Áreas de investigación
  • Microelectrónica,
  • Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
  • Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
  • Dispositivos tipo mosfet
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
University of Aveiro (UA), Institute of Telecommunications (IT) (Aveiro) and the Associate Laboratory i3N/FSCOSD ? Institute of Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication (Aveiro)
ISSN
Factor de impacto JCR
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JUNIO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Zhan Gao (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: andres Redondo-Cubero (UAM)
  • Autor: Maria Angel pampillon (UCM)
  • Autor: Enrique San Andres (UCM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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