Artículos en revistas:
Effects of Proton Irradiation on AlGaN/GaN based High Electron Mobility Transistors
Effects of Proton Irradiation on AlGaN/GaN based High Electron Mobility Transistors
Año:2016
Áreas de investigación
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Microelectrónica, -
Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
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Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
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Dispositivos tipo mosfet
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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University of Aveiro (UA), Institute of Telecommunications (IT) (Aveiro) and the Associate Laboratory i3N/FSCOSD ? Institute of Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication (Aveiro) |
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ISSN
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Factor de impacto JCR
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Información de impacto
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor: Zhan Gao . (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: andres Redondo-Cubero (UAM)
- Autor: Maria Angel pampillon (UCM)
- Autor: Enrique San Andres (UCM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
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- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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