Artículos en revistas:
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
Año:2016
Áreas de investigación
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Microelectrónica, -
Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
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Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
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Dispositivos tipo mosfet
Datos
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Participantes
- Autor: Zhan Gao . (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Philipe Godignon
- Autor: Maria Angel Pampillón (UCM)
- Autor: Enruqie San Andres
- Autor: jose Millan (UAB)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
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- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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