Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
Año:2016
Áreas de investigación
  • Microelectrónica,
  • Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
  • Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
  • Dispositivos tipo mosfet
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Participantes
  • Autor: Zhan Gao (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Philipe Godignon
  • Autor: Maria Angel Pampillón (UCM)
  • Autor: Enruqie San Andres
  • Autor: jose Millan (UAB)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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