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Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors
Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors
Año:2017
Áreas de investigación
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Microelectrónica, -
Diseño microelectrónico,
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Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
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Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
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Dispositivos tipo mosfet
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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11th Spanish Conference on Electron Devices (CDE-2017) |
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ISSN
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Factor de impacto JCR
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor: Zhan Gao . (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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