Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices as 1 eV layer for efficient multi-junction solar cells
Año:2016
Áreas de investigación
  • Células solares
Datos
Descripción
Type?II GaAsSb/GaAsN superlattice (SL) structures are presented as a novel approach to remarkably improve the versatility of GaAsSbN and its suitability for 1 eV layers in tandem cells. The spatial separation of both Sb and N demonstrates an improved compositional control allowing an accurate control of the lattice?matching condition. Type?II SLs show a more efficient luminescence than the equivalent bulk and type?I GaAsSbN/GaAs SL counterparts, despite the longer radiative lifetimes, showing promising properties for an efficient carrier collection. The modification of the period thickness also allows a precise control over the absorption edge while additionally tuning the radiative carrier lifetimes.
Internacional
Si
Nombre congreso
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE2016)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Montpellier, France
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
04/09/2016
Fecha fin congreso
09/09/2016
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62
Hasta la página
62
Título de las actas
-
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas (UPM)
  • Autor: Alicia Gonzalo Martin (UPM)
  • Autor: D.F. Grossi
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: V. Braza-Blanco
  • Autor: B. Alen
  • Autor: David Fuertes Marron (UPM)
  • Autor: P.M. Koenraad
  • Autor: T. Ben
  • Autor: D. González
  • Autor: Luis Alberto Guzman Balbas (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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