Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of Ge autodoping during III-V MOVPE growth on Ge substrates
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,462
Información de impacto
Volumen
475
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2017.06.022
Número de revista
Desde la página
378
Hasta la página
383
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: laura barrutia (UPM)
  • Autor: enrique barrigon (UPM)
  • Autor: ivan garcia (UPM)
  • Autor: ignacio rey-stolle (UPM)
  • Autor: carlos algora (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
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