Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of 2D-Graphene on SiN Passivated AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Mist Exposure
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
ISSN
0741-3106
Factor de impacto JCR
2,528
Información de impacto
Volumen
38
DOI
10.1109/LED.2017.2747500
Número de revista
10
Desde la página
1441
Hasta la página
1444
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: alberto bosca (UPM)
  • Autor: m. fatima romero
  • Autor: jorge pedros (UPM)
  • Autor: javier martinez (UPM)
  • Autor: rajveer fandan (UPM)
  • Autor: fernando calle (UPM)
  • Autor: tomas palacios
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
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