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Impact of 2D-Graphene on SiN Passivated AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Mist Exposure
Impact of 2D-Graphene on SiN Passivated AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Mist Exposure
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
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ISSN
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0741-3106 |
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Factor de impacto JCR
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2,528 |
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Información de impacto
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Volumen
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38 |
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DOI
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10.1109/LED.2017.2747500 |
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Número de revista
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10 |
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Desde la página
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1441 |
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Hasta la página
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1444 |
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Mes
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor:
alberto bosca (UPM) - Autor: m. fatima romero
- Autor: jorge pedros (UPM)
- Autor: javier martinez (UPM)
- Autor: rajveer fandan (UPM)
- Autor: fernando calle (UPM)
- Autor: tomas palacios
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Departamento: Ciencia de Materiales
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