Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure
Year:2017

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
ISBN
0885-8993
Impact factor JCR
6,008
Impact info
Volume
32
10.1109/TPEL.2016.2569404
Journal number
3
From page
2189
To page
2202
Month
Ranking
0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
  • Grupo de Investigación: Electrónica Industrial
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial