Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
ISSN
0885-8993
Factor de impacto JCR
6,008
Información de impacto
Volumen
32
DOI
10.1109/TPEL.2016.2569404
Número de revista
3
Desde la página
2189
Hasta la página
2202
Mes
Ranking
0
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
  • Grupo de Investigación: Electrónica Industrial
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial