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Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure
Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS |
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ISSN
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0885-8993 |
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Factor de impacto JCR
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6,008 |
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Información de impacto
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Volumen
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32 |
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DOI
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10.1109/TPEL.2016.2569404 |
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Número de revista
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3 |
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Desde la página
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2189 |
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Hasta la página
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2202 |
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Mes
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor:
dejana cucak (UPM) - Autor: miroslav vasic (UPM)
- Autor: oscar garcia (UPM)
- Autor: jesus angel oliver (UPM)
- Autor: pedro alou (UPM)
- Autor: jose antonio cobos (UPM)
- Autor: ashu wang (UPM)
- Autor: sara martin-horcajo (UPM)
- Autor: maria fatima romero
- Autor: fernando calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
- Grupo de Investigación: Electrónica Industrial
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
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