Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Quantitative analysis of the interplay between InAs quantum dots and wetting layer during the GaAs capping process
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
NANOTECHNOLOGY
ISSN
0957-4484
Factor de impacto JCR
3,573
Información de impacto
Volumen
28
DOI
10.1088/1361-6528/aa83e2
Número de revista
42
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales