Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A Si-Compatible Fabrication Process for Scaled Self-Aligned InGaAs FinFETs
Año:2017

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
ISSN
0894-6507
Factor de impacto JCR
1,045
Información de impacto
Volumen
30
DOI
10.1109/TSM.2017.2753141
Número de revista
4
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468
Hasta la página
474
Mes
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0

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: a. fernando-saavedra UPM
  • Autor: a. vardi
  • Autor: j. lin
  • Autor: w. lu
  • Autor: x. zhao
  • Autor: j. a. del alamo

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología