Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Capítulo de libro:
Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
DOI
10.1016/bs.semsem.2016.08.003
Edición del Libro
Editorial del Libro
Semiconductors and Semimetals, 96, 7, 231-266 ed. by Z. Mi and C. Jagadish (2017). CL
ISBN
978-0-12-809584-3
Serie
Título del Libro
Semiconductors and Semimetals Volume 96, Pages 2-474 (2017) III-Nitride Semiconductor Optoelectronics. Chapter Seven - Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Desde página
231
Hasta página
266
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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