Capítulo de libro:
Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
Año:2017
Áreas de investigación
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Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM | |
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Internacional
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Si |
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DOI
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10.1016/bs.semsem.2016.08.003 |
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Edición del Libro
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Editorial del Libro
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Semiconductors and Semimetals, 96, 7, 231-266 ed. by Z. Mi and C. Jagadish (2017). CL |
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ISBN
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978-0-12-809584-3 |
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Serie
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Título del Libro
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Semiconductors and Semimetals Volume 96, Pages 2-474 (2017) III-Nitride Semiconductor Optoelectronics. Chapter Seven - Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy |
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Desde página
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231 |
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Hasta página
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266 |
Participantes
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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