Capítulo de libro:
Ga(In)N nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy: from quantum light sources to nano-transistors
Ga(In)N nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy: from quantum light sources to nano-transistors
Año:2017
Áreas de investigación
-
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigacion del GDS ISOM | |
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Internacional
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Si |
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DOI
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Edición del Libro
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Editorial del Libro
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Eds. F. Ishikawa and I. A. Buyanova (2017) |
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ISBN
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978-981-4745-76-5 |
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Serie
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Título del Libro
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Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications, Pan Stanford Publishing |
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Desde página
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311 |
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Hasta página
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356 |
Participantes
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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