Ponencias en congresos:
Studies of free charge carrier properties in AlGaN and InGaN based structures by infrared and terahertz optical Hall effect
Studies of free charge carrier properties in AlGaN and InGaN based structures by infrared and terahertz optical Hall effect
Año:2017
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Estrasburgo (France) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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24/07/2017 |
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Fecha fin congreso
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28/07/2017 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: N. Armakavicius
- Autor: JT. Chen
- Autor: T. Hofmann
- Autor: S. Knight
- Autor: P. Kuhne
- Autor: Mengyao Xie (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: M Shu
- Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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