Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Studies of free charge carrier properties in AlGaN and InGaN based structures by infrared and terahertz optical Hall effect
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Estrasburgo (France)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
24/07/2017
Fecha fin congreso
28/07/2017
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: N. Armakavicius
  • Autor: JT. Chen
  • Autor: T. Hofmann
  • Autor: S. Knight
  • Autor: P. Kuhne
  • Autor: Mengyao Xie . UPM
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: M Shu
  • Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología