Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Evolution of InAs quantum dots/wetting layer system under different GaAs capping layer growth rates
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
20th Microscopy of Semi Conducting Materials
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Oxford, United Kingdom
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
09/04/2017
Fecha fin congreso
13/04/2017
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: V. Braza
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas (UPM)
  • Autor: T. Ben
  • Autor: Alicia Gonzalo Martin (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: D. González
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
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