Memorias de investigación
Thesis:
Improvement of performance and reliability of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics
Year:2017

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
International
No
Type
Doctoral
Mark Rating
Sobresaliente
Date
11/09/2017
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología