Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Self-Aligned InGaAs FinFETs with 5-nm Fin-Width and 5-nm Gate-Contact Separation
Año:2017
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
We demonstrate self-aligned InGaAs FinFETs with fin widths down to 5 nm fabricated through a CMOS compatible front-end process. Precision dry etching of the recess cap results in metal contacts that are about 5 nm away from the intrinsic portion of the fin. The new process has allowed us to fabricate devices with undoped fins and compare them with delta-doped fins. We find that in highly scaled transistors, undoped fin devices show better OFF-state and a tighter VT distribution but similar ON-state characteristics, as compared with ?-doped-fin transistors. 2D Poisson- Schrodinger simulations reveal undoped fins making more effective use of the fin height.
Internacional
Si
Nombre congreso
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Francisco, CA, USA
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-5386-3559-9
DOI
10.1109/IEDM.2017.8268411
Fecha inicio congreso
02/12/2017
Fecha fin congreso
06/12/2017
Desde la página
429
Hasta la página
432
Título de las actas
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Alon Vardi (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Lisa Kong (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Wenjie Lu (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Xiaowei Cai (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Xin Zhao (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Autor: Jesús A. Del Álamo (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de I+d+i en Procesado de la Información y Telecomunicaciones
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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