Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Preliminary analysis of annealing impact on 1 eV GaNAsSb solar cells
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Impact of annealing temperature, time and process gas on 1 eV GaNAsSb solar cells is assessed. In situ and ex situ annealings are carried out in order to analyze their effect on the solar cell performance. Ex situ annealings on as grown samples using N2 as process gas increase the external quantum efficiency while using H2 as process gas degrades the solar cell performance. Best performance is obtained by in situ annealing in a molecular beam epitaxy reactor. External quantum efficiency increases in the short wavelength range (? 700 nm) and decreases in the long wavelength range (? 700 nm) after ex situ annealing using N2 as process gas on in situ annealed samples (in a molecular beam epitaxy reactor).
Internacional
Si
Nombre congreso
2017 Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Barcelona
Revisores
Si
ISBN o ISSN
9781509050734
DOI
Fecha inicio congreso
08/02/2017
Fecha fin congreso
10/02/2017
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ivan Lombardero Hernandez (UPM)
  • Autor: Mario Ochoa Gómez (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Manuel Hinojosa Arner (UPM)
  • Autor: Pablo Caño Fernández (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: A. Johnson
  • Autor: J.I. Davies
  • Autor: K.H. Tan
  • Autor: W.K. Loke
  • Autor: S. Wicaksono
  • Autor: S.F. Yoon
  • Autor: R. Romero
  • Autor: Mercedes Gabás
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
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