Memorias de investigación
Conferencias:
Comparative study of InGaN layers for photovoltaic applications grown by PA-MBE on Si(111) using different buffer layers and growth conditions
Año:2017
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionada con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000000000000
Entidad relacionada
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices. 2017 German-Japanese-Spanish Joint Workshop March 5-8, 2017
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
Hotel Punta Rotja, Mallorca (Spain)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica