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Self-Aligned InGaAs FinFETs with 5-nm Fin-Width and 5-nm Gate-Contact Separation
Self-Aligned InGaAs FinFETs with 5-nm Fin-Width and 5-nm Gate-Contact Separation
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) |
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ISSN
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2380-9248 |
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Factor de impacto JCR
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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Participantes
- Autor:
jesus grajal (UPM) - Autor: alon vardi
- Autor: lisa kong
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