Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Self-Aligned InGaAs FinFETs with 5-nm Fin-Width and 5-nm Gate-Contact Separation
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)
ISSN
2380-9248
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
DOI
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Participantes
  • Autor: jesus grajal (UPM)
  • Autor: alon vardi
  • Autor: lisa kong
  • Autor: wenjie lu
  • Autor: xiaowei cai
  • Autor: xin zhao
  • Autor: jesus a. del alamo
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de I+d+i en Procesado de la Información y Telecomunicaciones
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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