Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of Ge autodoping during III-V MOVPE growth on Ge substrates
Año:2017
Áreas de investigación
  • Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Epitaxias y crecimientos cristalinos
Datos
Descripción
During the MOVPE growth of III-V layers on Ge substrates, Ge atoms can be evaporated or etched from the back of the wafer and reach the growth surface, becoming incorporated into the epilayers. This is the so-called Ge autodoping effect, which we have studied through a set of growth experiments of GaInP and Ga(In)As layers lattice matched to Ge substrates, which have been characterized by Secondary Ion Mass Spectroscopy. The role of V/III ratio and growth rate on Ge autodoping has been studied and a MOVPE reactor pre-conditioning prior to the epitaxial growth of III-V semiconductor layers that mitigates this Ge autodoping has been identified. In addition, the use of 2-in. versus 4-in. Ge substrates has been compared and the use of a Si3N4 backside coating for the Ge substrates has been evaluated.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,751
Información de impacto
Volumen
475
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2017.06.022
Número de revista
Desde la página
378
Hasta la página
383
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Laura Barrutia Poncela (UPM)
  • Autor: Enrique Barrigón
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
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