Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Interpretation of photovoltaic performance of n-ZnO:Al/ZnS:Cr/p-GaP solar cell
Año:2017
Áreas de investigación
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Células solares,
  • Generación fotovoltaica
Datos
Descripción
We investigate Cr-doped ZnS (ZnS: Cr) as a potential deep-level intermediate band material for high efficiency solar cells. We study n-ZnO:Al/ZnS:Cr/p-GaP heterojunction cell for the first time, and this paper presents an interpretation of the performance of the solar cell in the framework of intermediate band solar cells. We conclude that the ZnS:Cr used in this work has two characteristic energy levels at 0.88 eV and 2.68 eV below the conduction band. This material also has a quasi-continuum of energy levels between the former level and the valence band maximum. This quasi-continuum results in thermal carrier escape that limits the open-circuit voltage to the lowest energy gap in ZnS: Cr, ?0.8 V.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Solar Energy Materials And Solar Cells
ISSN
0927-0248
Factor de impacto JCR
4,784
Información de impacto
Volumen
169
DOI
10.1016/j.solmat.2017.05.003
Número de revista
Desde la página
56
Hasta la página
60
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Mohammadreza Nematollahi
  • Autor: Esther Lopez Estrada (UPM)
  • Autor: Iñigo Ramiro Gonzalez (UPM)
  • Autor: Pablo Garcia-Linares Fontes (UPM)
  • Autor: Elisa Antolin Fernandez (UPM)
  • Autor: Irene Artacho Huertas (UPM)
  • Autor: Cesar Tablero Crespo (UPM)
  • Autor: E. Karhu
  • Autor: T.W. Reenaas
  • Autor: Antonio Marti Vega (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
  • Departamento: Ingeniería Eléctrica, Electrónica Automática y Física Aplicada
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