Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Otras publicaciones:
Optimization of a-Si:H possivating layer deposited by PECVD on c-Si
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Surface recombination has a large impact on solar cell performance, clearly decreasing both shortcircuit current and open-circuit voltage, and thus its efficiency. Within the current trend of creating thinner and thinner devices, decreasing surface recombination is becoming a crucial issue. Deposition of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (SiNx) layers is currently the standard procedure to passivate the crystalline silicon (c-Si) surface, obtaining low surface recombination velocities
Internacional
Si
Entidad
17th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors DRIP 2017
Lugar
Valladolid
Páginas
281-282
Referencia/URL
Tipo de publicación
Abstract
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J.A. Andreo
  • Autor: Carlos del Cañizo Nadal (UPM)
  • Autor: David Fuertes Marron (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
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