Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Thermal and Electrical Stability Assessment of AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors (MOS-HEMTs) With HfO2 Gate Dielectric
Year:2018

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISBN
0018-9383
Impact factor JCR
2,605
Impact info
Volume
65
10.1109/TED.2018.2842205
Journal number
8
From page
3142
To page
3148
Month
Ranking
0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica