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Thermal and Electrical Stability Assessment of AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors (MOS-HEMTs) With HfO2 Gate Dielectric
Thermal and Electrical Stability Assessment of AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors (MOS-HEMTs) With HfO2 Gate Dielectric
Año:2018
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
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ISSN
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0018-9383 |
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Factor de impacto JCR
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2,605 |
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Información de impacto
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Volumen
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65 |
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DOI
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10.1109/TED.2018.2842205 |
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Número de revista
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8 |
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Desde la página
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3142 |
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Hasta la página
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3148 |
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Mes
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor:
z. gao (UPM) - Autor: m. f. romero (UPM)
- Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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