Observatorio de I+D+i UPM

Descripción
This paper analyzes the non linear distortion behavior of two different architectures of ultra wideband GaN power amplifiers. The study is motivated by an increasing need to characterize non linear distortion in wideband HPAs due to higher carrier frequencies and modulation complexity in modern communications systems. This paper presents the design process and measurements of two general purpose HPAs, manufactured using European GaN technology. Non linear distortion effects are then analyzed in a complex modulation scenario.
Internacional	No
Nombre congreso	XXXIII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio (URSI 2018)
Tipo de participación	960
Lugar del congreso	Granada, España
Revisores	Si
ISBN o ISSN	CDP08UPM
DOI
Fecha inicio congreso	05/09/2018
Fecha fin congreso	07/09/2018
Desde la página	1
Hasta la página	4
Título de las actas	XXXIII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio (URSI 2018)

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

• Autor: Emilio Delgado Pascual (INDRA SISTEMAS)
• Autor: Eduardo Oreja Gigorro (INDRA SISTEMAS)
• Autor: Juan José Sánchez Martínez (INDRA SISTEMAS)
• Autor: María Luz Gil Heras (INDRA SISTEMAS)
• Autor: Virginia Bueno Fernández (INDRA SISTEMAS)
• Autor: Antonio Bódalo Márquez (INDRA SISTEMAS)
• Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)

• Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
• Centro o Instituto I+D+i: Centro de I+d+i en Procesado de la Información y Telecomunicaciones
• Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones