Ponencias en congresos:
Development of the lattice matched GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cell With an efficiency over 40%.
Año:2018
Áreas de investigación
- Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| This paper summarizes the state-of-the-art of the lattice matched GaInP/Ga(In)As/Ge triple-junction solar cell developed at the Solar Energy Institute of UPM (IES-UPM). Different research topics tackled over the last years about this structure are described. As result of this work, an efficiency of 40% at 415 is presented. | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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2018 Spanish Conference on Electron Devices (CDE-2018) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Salamanca - España |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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2163-4971 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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14/11/2018 |
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Fecha fin congreso
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16/11/2018 |
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Desde la página
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5386 |
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Hasta la página
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5390 |
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Título de las actas
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Proceedings of 2018 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) |
Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Laura Barrutia Poncela UPM
- Autor: Ivan Garcia Vara UPM
- Autor: Mario Ochoa Gómez UPM
- Autor: Ivan Lombardero Hernandez UPM
- Autor: Manuel Hinojosa Arner UPM
- Autor: Pablo Caño Fernández UPM
- Autor: Jesus Bautista Villares UPM
- Autor: Luis Cifuentes Baro UPM
- Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado UPM
- Autor: Carlos Algora Del Valle UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
- Departamento: Electrónica Física