Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Effect of GaAs(Sb)(N) capping layers on (un)coupled InAs/GaAs multi quantum dot layers for enhanced solar cells
Año:2018
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
11th Advanced Nanomaterials AMN2018
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Aveiro, Portugal
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
18/07/2018
Fecha fin congreso
20/08/2018
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología