Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
GaAsN/GaAsSb superlattices as 1 eV layers for efficient multi-junction solar cells
Año:2018
Áreas de investigación
  • Física química y matemáticas,
  • Ingenierías,
  • Células solares
Datos
Descripción
We demonstrate type-II GaAsSb/GaAsN superlattices as a suitable candidate to form a lattice-matched 1.0- 1.15 eV subcell that could significantly improve the performance of multi-junction solar cells. The spatial separation of N and Sb allows better lattice-matching control, composition homogeneity, crystal quality and interface abruptness. Moreover, the type-II band alignment provides effective bandgap and radiative lifetime tunability through the period thickness. For the impact of period thickness on transport, quantum-kinetic simulations support the experimental finding of efficient carrier extraction at thicknesses up to 6 nm. All this leads to single-junction solar cells with improved efficiency under monochromatic illumination over the equivalent bulk devices.
Internacional
Si
Nombre congreso
7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Waikoloa, Hawaii, EE.UU.
Revisores
Si
ISBN o ISSN
CDPO8UPM
DOI
Fecha inicio congreso
10/06/2018
Fecha fin congreso
15/06/2018
Desde la página
3463
Hasta la página
3467
Título de las actas
Proceedings of 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. Gonzalo
  • Autor: A.D. Utrilla
  • Autor: U. Aeberhard
  • Autor: J.M. Llorens
  • Autor: B. Alén
  • Autor: V. Braza
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: D. González
  • Autor: David Fuertes Marron (UPM)
  • Autor: A. Hierro
  • Autor: J.M. Ulloa
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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