Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Operation of the Three Terminal Heterojunction Bipolar Transistor Solar Cell
Año:2018
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
The three terminal heterojunction bipolar transistor solar cell (3T-HBTSC) is characterized by a muti-junction solar cell structure that resembles that of a (npn or pnp) bipolar transistor. The top cell consists of the top np (pn) layers which are made of a high bandgap semiconductor. The bottom n(p) layer is made of a low bandgap semiconductor and, together with the middle p(n) layer, forms the bottom solar cell. The transistor structure allows some simplifications in the layer structure with respect to that of conventional multi-junction solar cells since, for example, tunnel junctions are not necessary. In spite of the name, in the 3T-HBTSC the transistor effect has to be avoided since, in the limit, this would result in the voltage of the top cell being limited by the voltage of the bottom cell
Internacional
Si
Nombre congreso
European Materials Research Society Spring Meeting
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Estrasburgo (Francia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1610-1642
DOI
10.1002/pssc.201700191
Fecha inicio congreso
18/06/2018
Fecha fin congreso
22/06/2018
Desde la página
1700191
Hasta la página
1700193
Título de las actas
Publicado en Phys. Status Solidi C
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Antonio Marti Vega (UPM)
  • Autor: Elisa Antolin Fernandez (UPM)
  • Autor: Pablo Garcia-Linares Fontes (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Ingeniería Eléctrica, Electrónica Automática y Física Aplicada
  • Departamento: Electrónica Física
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