Artículos en revistas:
MoS2 Phase-junction-based Schottky Diodes for RF Electronics
MoS2 Phase-junction-based Schottky Diodes for RF Electronics
Año:2018
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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2018 IEEE/MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM - IMS |
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ISSN
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0149-645X |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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345 |
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347 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
jesus grajal (UPM) - Autor: xu zhang
- Autor: xiaoxue wang
- Autor: ujwal radhakrishna
- Autor: yuhao zhang
- Autor: jing kong
- Autor: mildred s. dresselhaus
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